| Datenblatt | |
|---|---|
| Verpackungseinheit | |
| Artikeltyp |
DIW065SIC049 Diotec Semiconductor
SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 60A, 650V, 49mΩ, 175°C
Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | N |
| Drainstrom | |
| ID | 60.000 A |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | 650 V |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 0.0490 Ω |
| @ ID | 30.000 A |
| @ VGS | 18 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 175 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 550.000 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | 135.000 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | 6.0 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 0 ns |
| Ausschaltzeit | |
| toff | 0 ns |
| Total Switching Energy | |
| toff | 0 ns |
Ähnliche Produkte
MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C, AEC-Q101
MOSFETs
MOSFET, PowerQFN 3x3-Dual, N+P, 40V, 8A, 18mΩ, 150°C
MOSFETs
MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 100V, 2A, 0.25Ω, 150°C
MOSFETs
MOSFET, SO-8, N, 90V, 8A, 75mΩ, 150°C
MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 30V, 5A, 20mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFET, PowerQFN 2x2, N, 65V, 6A, 20mΩ, 150°C, AEC-Q101
MOSFETs
MOSFET, SO-8, N+P, 30V, 6A, 25mΩ, 150°C
MOSFETs
MOSFET, SO-8, N+N, 60V, 5A, 40mΩ, 150°C