| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
DI006N06PW-AQ Diotec Semiconductor
MOSFET, PowerQFN 2×2, N, 65V, 6A, 20mΩ, 150°C, AEC-Q101
Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | N |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | 65 V |
| Drainstrom | |
| ID | 6 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 0.0200 Ω |
| @ ID | 6 A |
| @ VGS | 10 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 1.670 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | 80 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | 2.5 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 32 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 32 ns |
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