| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
DI006P02PW Diotec Semiconductor
MOSFET, PowerQFN 2×2, P, -20V, -6A, 25mΩ, 150°C
Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | P |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | -20 V |
| Drainstrom | |
| ID | -6 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 0.0250 Ω |
| @ ID | -6 A |
| @ VGS | -5 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 2 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | -36 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | -1 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 44 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 44 ns |
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