| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
DI4A5C06SQ Diotec Semiconductor
MOSFET, SO-8, N+P, 60V, 4.5A, 55mΩ, 150°C
Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | N+P |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | 60 V |
| Drainstrom | |
| ID | 4.500 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 0.0550 Ω |
| @ ID | 4.500 A |
| @ VGS | 10 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 1.600 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | 20 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | 3 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 19 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 19 ns |
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