DI0A35N06PGK-AQ Diotec Semiconductor
MOSFET, DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4Ω, 150°C, AEC-Q101
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Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | N |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | 60 V |
| Drainstrom | |
| ID | 0.350 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 1.4000 Ω |
| @ ID | 0.500 A |
| @ VGS | 10 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 0.223 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | 1.200 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | 1 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 7 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 7 ns |
| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
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