| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
DI050P02PT Diotec Semiconductor
MOSFET, PowerQFN 3×3, P, -20V, -50A, 10mΩ, 150°C
Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | P |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | -20 V |
| Drainstrom | |
| ID | -50 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 0.0100 Ω |
| @ ID | -15 A |
| @ VGS | -10 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 35.700 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | -180 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | -1 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 95 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 95 ns |
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