DI4A7P06SQ2 Diotec Semiconductor
MOSFET, SO-8, P+P, -60V, -4.7A, 75mΩ, 150°C
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Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | P+P |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | -60 V |
| Drainstrom | |
| ID | -4.7 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 0.0750 Ω |
| @ ID | -5 A |
| @ VGS | -10 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 3.000 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | -30 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | -2.3 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 16 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 16 ns |
| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
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