| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
DIF120SIC053 Diotec Semiconductor
SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1200V, 53mΩ, 175°C
Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | N |
| Drainstrom | |
| ID | 65 A |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | 1200 V |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 0.0530 Ω |
| @ ID | 33 A |
| @ VGS | 18 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 175 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 278 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | 100 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | 4 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 75 ns |
| Ausschaltzeit | |
| toff | 41 ns |
| Total Switching Energy | |
| toff | 41 ns |
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