| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
DI6A7P02SQ Diotec Semiconductor
MOSFET, SO-8, P, 20V, 6.7A, 40mΩ, 150°C
Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | P |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | 20 V |
| Drainstrom | |
| ID | 6.700 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 0.0400 Ω |
| @ ID | 3.200 A |
| @ VGS | 5 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 2.500 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | 27 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | 0.6 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 46 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 46 ns |
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