| Datenblatt | |
|---|---|
| Bauform | |
| Verpackungseinheit | |
| Hersteller | |
| Artikeltyp |
DI2A2N100D1K-AQ Diotec Semiconductor
MOSFET, DPAK, N, 1000V, 2.2A, 6.8Ω, 150°C, AEC-Q101
Produkt-Eigenschaften
| Polarität | |
| pol | N |
| Drain-Source-Spannung | |
| VDS | 1000 V |
| Drainstrom | |
| ID | 2.200 A |
| Einschaltwiderstand | |
| RDSon | 6.8000 Ω |
| @ ID | 1.500 A |
| @ VGS | 10 V |
| Sperrschicht Temperatur | |
| Tjmax | 150 °C |
| Verlustleistung | |
| Ptot | 29.700 W |
| Drain-Spitzenstrom | |
| IDM | 8.000 A |
| Schwellspannung | |
| VGSth | 4.0 V |
| Einschaltzeit | |
| ton | 50 ns |
| Ausschaltzeit | |
| ton | 50 ns |
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