Diotec Semiconductor AG

DIW040F135
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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

DIW040F135

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IGBT, TO-247-3L, N-Fast, 1350V, 40A

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

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82,07 € VPE 1250 Stück

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IGBT, TO-247-3L, N-Fast, 1200V, 40A

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

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37,69 € VPE 1250 Stück

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IGBT, TO-247-3L, N-Fast, 650V, 50A

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

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IGBT, TO-247-3L, N-Fast, 650V, 50A

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MOSFETs

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MOSFET, TO-247-3L, N, 65V, 85A, 9.1mΩ, 150°C

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MOSFETs

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SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A, 1200V, 22.3mΩ, 175°C, AEC-Q101

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MOSFETs

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SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 130A, 1200V, 23mΩ, 175°C, AEC-Q101

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MOSFETs

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SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 65A, 1200V, 53mΩ, 175°C, AEC-Q101

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Diode, Superfast, MiniMelf, 50V, 1A, 50ns, 175°C

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Diode, Superfast, MiniMelf, 100V, 1A, 50ns, 175°C

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Diode, Superfast, MiniMelf, 200V, 1A, 50ns, 175°C

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Diode, Superfast, MiniMelf, 400V, 1A, 50ns, 175°C

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Diode, Superfast, MiniMelf, 600V, 1A, 75ns, 175°C

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Diode, Superfast, MiniMelf, 800V, 1A, 75ns, 175°C

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Diode, Superfast, MiniMelf, 1000V, 1A, 75ns, 175°C

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Gleichrichter

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Diode, Superfast, MiniMelf, 50V, 1A, 50ns, 175°C

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